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首頁(yè)進(jìn)口晶振美國(guó)CTS石英晶振西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子
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    西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子

  • 編號(hào)：92419189
  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：2.0*1.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子,CTS晶振,無(wú)源晶體,石英晶體諧振器,SMD晶振,石英晶體,型號(hào)TFE20,編碼TFE202W32K7680R是一款金屬面貼片型的石英水晶振子,尺寸為2012mm,頻率32.768KHZ,精度20ppm,負(fù)載電容12....


   西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子,CTS晶振,無(wú)源晶體,石英晶體諧振器,SMD晶振,石英晶體,型號(hào)TFE20,編碼TFE202W32K7680R是一款金屬面貼片型的石英水晶振子,尺寸為2012mm,頻率32.768KHZ,精度20ppm,負(fù)載電容12.5pF,工作溫度-40~+85°C，特點(diǎn)：32.7680kHz頻率參考低ESR調(diào)諧叉晶體設(shè)計(jì)，<50k歐姆密封陶瓷表面安裝包理想的高密度電路板頻率公差，±20ppm標(biāo)準(zhǔn)拋物線溫度系數(shù)膠帶和卷軸包裝，EIA-481，應(yīng)用：實(shí)時(shí)時(shí)鐘參考,低功耗和MCUs,可穿戴電子,醫(yī)療設(shè)備,電池供電應(yīng)用,便攜式電子,數(shù)據(jù)記錄器,智能電表.
  32.768KHZ時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子
FE202W32K7680R晶振  規(guī)格表

晶振

單位

TFE20晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C ～ +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ～ +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.1~0.5μW Max.

推薦:1μW ～ 100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10 × 10-6 ～ ±30 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.ike-digital.com/

頻率溫度特征

f_tem

±20 × 10-6/-20°C ～ +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

≤ 50 KΩ

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

 

西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子  尺寸圖


TFE202W32K7680R晶振  使用注意事項(xiàng)
在使用晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作

CTS集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo)，并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量。
CTS集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù)，將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。
CTS晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn)，包括能源資源的保持，回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。
盡可能的采用無(wú)害的原材料和生產(chǎn)技術(shù)，避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生，比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物。集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收，最小化有害原料的使用。
根據(jù)需要，提高環(huán)境技術(shù)、材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性。
按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求，建立環(huán)境管理體系，并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善。西迪斯晶振TFE20,TFE202W32K7680R水晶振動(dòng)子
建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn)。將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目。
對(duì)員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識(shí)培訓(xùn)，提高其環(huán)境意識(shí)，建立環(huán)境職責(zé)，自覺(jué)改進(jìn)、預(yù)防對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。
在產(chǎn)品的全過(guò)程中努力節(jié)能降耗，實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化。對(duì)產(chǎn)生環(huán)境影響的活動(dòng)做出及時(shí)反應(yīng)，并對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動(dòng)做出預(yù)防。
Manufacturer Part Number原廠編碼 進(jìn)口晶振廠家 Series型號(hào) Frequency Size / Dimension 尺寸
TF322P32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF322P32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF322P32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF202P32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF202P32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF202P32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF322J32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF322N32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF323P32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF323J32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF323N32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF325P32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF325J32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF325N32K7680R CTS晶振 TF32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TF202J32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF203P32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF203J32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF205P32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF205J32K7680R CTS晶振 TF20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TFSM262P32K7680 CTS晶振 TFSM 32.768kHz 0.079" Dia x 0.236" L (2.00mm x 6.00mm)
TFPM2P32K7680R CTS晶振 TFPM 32.768kHz 0.315" L x 0.150" W (8.00mm x 3.80mm)
TFA322PH327KR CTS晶振 TFA32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TFA322PG327KR CTS晶振 TFA32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TFE322T32K7680R CTS晶振 TFE32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TFE322P32K7680R CTS晶振 TFE32 32.768kHz 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
TFE202P32K7680R CTS晶振 TFE20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
TF162P32K7680R CTS晶振 TF16 32.768kHz 0.063" L x 0.039" W (1.60mm x 1.00mm)
TFE202W32K7680R CTS晶振 TFE20 32.768kHz 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
 

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