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石英晶體振蕩器
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格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
ILSI晶振 | 單位 | ILCX18晶振 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 12~80MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 | T_stg | -40°C~+85°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | 0℃~+70℃ | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:100μW ~ 300μW |
頻率公差 | f_— l | ±30ppm |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.ike-digital.com/ |
頻率溫度特征 | f_tem | ±50× 10-6 /-30°C~+85°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 18pF | 不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -10°C— +60°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
TXC,NDK,希華.jpg)


安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致壓電石英晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計(jì)成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較的變化,因此請避免不必要的高溫度.有關(guān)SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).由于音叉型石英晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).
撞擊
雖然小型歐美晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

美國ILSI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.對我們的進(jìn)口環(huán)保晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
美國ILSI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
ILSI晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.

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