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石英晶體振蕩器
- 編號：38701643
- 頻率：10~52MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.5mm
MTRONPTI晶振,M6054晶振,VC-TCXO振蕩器
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無...
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MTRONPTI晶振,M6054晶振,VC-TCXO振蕩器.高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
TXC,NDK,希華.jpg)
今天的MtronPTI在所有地點(diǎn)均通過ISO9001:2008認(rèn)證,并且今天繼續(xù)管理嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系.MtronPTI進(jìn)口晶振還擁有AS9100 Rev C認(rèn)證流程,并繼續(xù)改善質(zhì)量,加快流程,并在業(yè)務(wù)的各個(gè)方面管理需求流技術(shù),以便在規(guī)定的正確時(shí)間交付正確的產(chǎn)品.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項(xiàng)目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標(biāo)稱頻率 | f_nom | 10~52MHz |
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±0.5ppm |
| 輸出條件 | Clipped Sine Wave | |
| 電源電壓 | Vcc | +3.0V |
| 負(fù)載電容 | CL | 10pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
| 儲藏溫度 | T_stg | −55℃~+105℃ |
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化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.機(jī)械振動的影響,當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至低功耗晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的貼片衛(wèi)星導(dǎo)航晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
美國MtronPTI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.MtronPTI晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對自然資源的保持.
MtronPTI晶振集團(tuán)將確保美國進(jìn)口晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
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