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石英晶體振蕩器
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suntsu晶振,SQV53C晶振,VCXO晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
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在接下來的三年中,我們的產品線迅速增長.我們從專注于超小型晶體和TCXO開始,到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO.2007年,我們進一步擴展了我們的產品線,包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO,以滿足基站和軍事通信設備應用等需要高精度晶振的最高頻率穩(wěn)定性的需求.
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晶振項目 | 符號 | 產品規(guī)格 |
---|---|---|
標稱頻率 | f_nom | 8~1500MHz |
頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±20ppm |
輸出條件 | CMOS | |
電源電壓 | Vcc | +2.5V,+3.3V |
負載電容 | CL | 15pF |
串聯電阻(ESR) | R1 | 70kΩ Max. |
絕對最大驅動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
驅動電平 | DL | 0.1μW typ. |
并聯電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ |
儲藏溫度 | T_stg | −55℃~+125℃ |
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化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口普通有源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
PCB設計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內部板體特性.
(2)在設計時請參考相應的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請按JIS標準(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用智能手表晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).


SUNTSU晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去SUNTSU晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
美國SUNTSU進口晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產.遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協議和任何公司承諾的其他要求.根據環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
SUNTSU晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持.



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