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石英晶體振蕩器
- 編號(hào)：16203878
- 頻率：12~70MHz
- 尺寸：3.2*2.5*0.8mm
suntsu晶振,SXT324晶振,耐高溫石英晶體
3225mm體積貼片晶振適用于工業(yè)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于工業(yè)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿...
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suntsu晶振,SXT324晶振,耐高溫石英晶體.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使進(jìn)口晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
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在2008年,我們將目光投向了精確時(shí)間模塊,并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO.其中之一,打破了工業(yè)界的第一個(gè)"板上安裝的單位".今天,Suntsu能夠滿足最基本的最嚴(yán)格的頻率控制要求.我們的月產(chǎn)能在過(guò)去幾年中大幅增長(zhǎng),截至2009年,我們每個(gè)月可以支持3千3百萬(wàn)個(gè)組件.我們經(jīng)過(guò)廣泛培訓(xùn)的銷售人員隨時(shí)可以幫助您從高精度晶振產(chǎn)品的原型階段到全面生產(chǎn).我們非常自豪能夠在最短的時(shí)間內(nèi)為您提供最新的信息.我們認(rèn)識(shí)到新興技術(shù)的上市時(shí)間的重要性,并開(kāi)發(fā)了內(nèi)部基礎(chǔ)設(shè)施以滿足您的需求.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| suntsu晶振 | 單位 | SXT324晶振 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 12~70MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C~+125°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵(lì)功率 | DL | 1.0μW Max. | 推薦:100μW ～ 300μW |
| 頻率公差 | f_— l | ±10ppm |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.ike-digital.com/ |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±50× 10-6 /-30°C～+85°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 7pF，32pF | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -10°C— +60°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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輻射
無(wú)源晶振產(chǎn)品暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致壓電石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來(lái)使用.
(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.
存儲(chǔ)事項(xiàng)
在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口石英晶體諧振器產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶體特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
美國(guó)SUNTSU晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、無(wú)源晶振、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
美國(guó)SUNTSU晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
過(guò)去SUNTSU晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
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深圳市康華爾電子有限公司SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO.,LTD
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