高穩(wěn)定性能的5G室外基站SPXO晶振X1G005581005500，如今的5G已經(jīng)完全覆蓋到我們生活的方方面面，5G技術(shù)對晶振產(chǎn)品的要求極其高標準和嚴格化，產(chǎn)品需具備高精度，高穩(wěn)定性，低相噪，低功耗等特點，愛普生公司作為晶體行業(yè)的領(lǐng)先者，憑著自身獨特的見解以及獨特的創(chuàng)造力，開發(fā)出適合高穩(wěn)定性能應用程序的5G室外基站，這款低功耗的SG-8018CB晶振，愛普生晶振編碼X1G005581005500，頻率125.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)5.00 x 3.20 x 1.30 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC，具有超高的穩(wěn)定性能，低相噪，低抖動的特點，很適合用于5G室外基站，藍牙彩燈控制器，投影儀，通信設備等領(lǐng)域。

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581004600	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004700	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004800	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004900	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005000	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS晶振	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005100	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005200	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005300	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005400	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005500	SG-8018CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005600	SG-8018CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005700	SG-8018CB	33.333300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005800	SG-8018CB	33.333300 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005900	SG-8018CB	70.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006000	SG-8018CB	44.967000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006100	SG-8018CB	57.143000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006200	SG-8018CB	22.222200 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006300	SG-8018CB	66.667000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006400	SG-8018CB	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581006500	SG-8018CB	6.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

高穩(wěn)定性能的5G室外基站SPXO晶振X1G005581005500，5G所需晶振為晶振大家族中的高端有源晶振系列（別稱：石英晶體振蕩器，鐘振，OSC），普通晶體振蕩器（OSC）通常用作微處理器的時鐘器件。電壓控制式晶體振蕩器（VCXO）的精度較高，通常用于鎖相環(huán)路。溫度補償式晶體振蕩器（TCXO）采用溫度敏感器件進行溫度頻率補償，頻率精度更高，通常用于通信設備，如手機，GPS定位等。


恒溫控制式晶體振蕩器（OCXO）將晶體和振蕩電路置于恒溫空間內(nèi)，以消除外圍環(huán)境溫度變化對頻率的影響。OCXO頻率精度最高，其輸出頻率的穩(wěn)定性較以上三種類型振蕩器也屬于最高，它通常被應用在對精度有極高要求的特殊領(lǐng)域，如軍工，航空航天。高端有源晶振封裝尺寸有：3.2 x2.5mm、2.5 x2.0mm、2.0 x1.6mm。事實上，晶振體積的日益小型化為超薄攜帶型設備提供了良好條件。