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石英晶體振蕩器
- 編號：59202241
- 頻率：462.5kHz
- 尺寸：1.5x0.8mm
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1569，編碼為：SiT1569AI-J3-33E-0462.500000，頻率為:462.5KHz，超小型晶振尺寸：1...
TXC,NDK,希華.jpg)
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1569，編碼為：SiT1569AI-J3-33E-0462.500000，頻率為:462.5KHz，超小型晶振尺寸：1.5x0.8mm，SMD晶振，四腳貼片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。超小1Hz-462.5kHz ±50ppm振蕩器，µPower工作電流：3.3µA（100kHz），工廠可編程頻率從1Hz到462.5kHz[1]，±50ppmm最大全包頻率穩(wěn)定性，世界最小的占地面積：1.2 mm2，1.5毫米x 0.8毫米CSP，0.6mm最大高度，外部旁路電容器需要，寬供電電壓范圍：1.8V到3.3V，LVCMOS兼容輸出，pb，RoHS和達(dá)到兼容。應(yīng)用：智能手寫筆，可穿戴生物特征傳感，無線充電器，便攜式醫(yī)療。
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SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，參數(shù)表
| Parameters | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit | Condition |
| Frequency | ||||||
| Output Frequency Range | F OUT | 1.0 | 462.5 k | Hz | ||
| Frequency Stability | ||||||
| Initial Tolerance | F_tol | - 10 | 10 | ppm | TA = 25°C. Includes 2x reflow. | |
| Frequency Stability | F_stab | -50 | 50 | ppm |
All inclusive of over temperature, referenced to nominal frequency at 25。C, inclusive of VDD, aging, and load |
|
| Jitter | ||||||
| RMS Period Jitter | t_jitter | 4 | 8.5 | nsRMS |
10,000 cycles, per JEDEC standard 65B, tested at 100 kHz |
|
| Power Supply | ||||||
| Power Supply Voltage | VDD | 1.62 | 3.63 | V | ||
| No Load Supply Current | IDD | 1.7 | 3 | µA | F OUT = 1 Hz | |
| 3.3 | 4.6 | F OUT = 100 kHz | ||||
| 8 | 10 | F OUT = 462.5 kHz | ||||
| Start-up Time | t_start | 150 | 300 | ms | F OUT > 200 Hz, to first output pulse. | |
|
250 + 2.0 cycles |
300 + 2.5 Cycles |
10 Hz <F OUT ≤ 200 Hz, to first output pulse. | ||||
|
500 + 2.5 Cycles |
1 Hz ≤F OUT ≤ 10 Hz, to first output pulse. | |||||
| Operating Temperature Range | ||||||
| Commercial Temperature | -20 | 70 | °C | |||
| Industrial Temperature | -40 | 85 | °C | |||
| LVCMOS Output | ||||||
| Rise-Fall Time | tR/tF | 10 | 40 | 70 | ns | 20-80%, 15 pF load, VDD = 1.8 V ±10% |
| Output Clock Duty Cycle | DC | 45 | 55 | % | ||
| V OH - Output Voltage High | VOH | 90% | I OH = -50 µA, 15 pF load | |||
| VOL - Output Voltage Low | VOL | 10% | I OL = 50 µA, 15 pF load | |||
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，尺寸圖
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振
SiT1569是第一個ULP，工廠可編程振蕩器，貼片石英晶振采用超小1.5mm x 0.8mm（1508）芯片級封裝（CSP），也是來自SiTime的ULP，超小振蕩器新家族的一部分。該設(shè)備可以被編程為在1 Hz到462.5 kHz之間的任何頻率。硅MEMS技術(shù)使生產(chǎn)世界上最小的可編程參考時鐘成為可能。
SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振
頻率穩(wěn)定性：SiT1569振蕩器在室溫下被工廠調(diào)整到32.768 kHz。結(jié)果是一個非常精確的室溫和過溫度的振蕩器。石英晶體具有經(jīng)典的音叉拋物線溫度曲線，25°C周轉(zhuǎn)點，0.04~0.06ppm/°C2溫度系數(shù)（TCF），石英晶體振蕩器SiT1569溫度系數(shù)在室溫下進行校準(zhǔn)，并通過主動溫度校正電路對溫度進行校正。結(jié)果是<±50 ppm在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)的頻率變化。當(dāng)使用頻率計數(shù)器測量SiT1569輸出頻率時，確保計數(shù)器的門極時間為>100 ms是很重要的。更短的門時間可能導(dǎo)致測量不準(zhǔn)確。
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