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SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振

編號(hào)：59202241
頻率：462.5kHz
尺寸：1.5x0.8mm

SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，SiTime晶振，型號(hào)：SiT1569，編碼為：SiT1569AI-J3-33E-0462.500000，頻率為:462.5KHz，超小型晶振尺寸：1...

SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，SiTime晶振，型號(hào)：SiT1569，編碼為：SiT1569AI-J3-33E-0462.500000，頻率為:462.5KHz，超小型晶振尺寸：1.5x0.8mm，SMD晶振，四腳貼片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。超小1Hz-462.5kHz ±50ppm振蕩器，µPower工作電流：3.3µA（100kHz），工廠可編程頻率從1Hz到462.5kHz[1]，±50ppmm最大全包頻率穩(wěn)定性，世界最小的占地面積：1.2 mm2，1.5毫米x 0.8毫米CSP，0.6mm最大高度，外部旁路電容器需要，寬供電電壓范圍：1.8V到3.3V，LVCMOS兼容輸出，pb，RoHS和達(dá)到兼容。應(yīng)用：智能手寫筆，可穿戴生物特征傳感，無線充電器，便攜式醫(yī)療。

SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，參數(shù)表

Parameters	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Condition
Frequency
Output Frequency Range	F OUT	1.0		462.5 k	Hz
Frequency Stability
Initial Tolerance	F_tol	- 10		10	ppm	TA = 25°C. Includes 2x reflow.
Frequency Stability	F_stab	-50		50	ppm	All inclusive of over temperature, referenced to nominal frequency at 25。C, inclusive of VDD, aging, and load
Jitter
RMS Period Jitter	t_jitter		4	8.5	nsRMS	10,000 cycles, per JEDEC standard 65B, tested at 100 kHz
Power Supply
Power Supply Voltage	VDD	1.62		3.63	V
No Load Supply Current	IDD		1.7	3	µA	F OUT = 1 Hz
			3.3	4.6		F OUT = 100 kHz
			8	10		F OUT = 462.5 kHz
Start-up Time	t_start		150	300	ms	F OUT > 200 Hz, to first output pulse.
			250 + 2.0 cycles	300 + 2.5 Cycles		10 Hz <F OUT ≤ 200 Hz, to first output pulse.
				500 + 2.5 Cycles		1 Hz ≤F OUT ≤ 10 Hz, to first output pulse.
Operating Temperature Range
Commercial Temperature		-20		70	°C
Industrial Temperature		-40		85	°C
LVCMOS Output
Rise-Fall Time	tR/tF	10	40	70	ns	20-80%, 15 pF load, VDD = 1.8 V ±10%
Output Clock Duty Cycle	DC	45		55	%
V OH - Output Voltage High	VOH	90%				I OH = -50 µA, 15 pF load
VOL - Output Voltage Low	VOL			10%		I OL = 50 µA, 15 pF load

SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振，尺寸圖

SiTime超小型晶振,SiT1569AI-J3-33E-0462.500000,便攜式醫(yī)療6G晶振,LVCMOS振蕩器,低電壓晶振

SiT1569是第一個(gè)ULP，工廠可編程振蕩器，貼片石英晶振采用超小1.5mm x 0.8mm（1508）芯片級(jí)封裝（CSP），也是來自SiTime的ULP，超小振蕩器新家族的一部分。該設(shè)備可以被編程為在1 Hz到462.5 kHz之間的任何頻率。硅MEMS技術(shù)使生產(chǎn)世界上最小的可編程參考時(shí)鐘成為可能。

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頻率穩(wěn)定性：SiT1569振蕩器在室溫下被工廠調(diào)整到32.768 kHz。結(jié)果是一個(gè)非常精確的室溫和過溫度的振蕩器。石英晶體具有經(jīng)典的音叉拋物線溫度曲線，25°C周轉(zhuǎn)點(diǎn)，0.04~0.06ppm/°C2溫度系數(shù)（TCF），石英晶體振蕩器SiT1569溫度系數(shù)在室溫下進(jìn)行校準(zhǔn)，并通過主動(dòng)溫度校正電路對(duì)溫度進(jìn)行校正。結(jié)果是<±50 ppm在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)的頻率變化。當(dāng)使用頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量SiT1569輸出頻率時(shí)，確保計(jì)數(shù)器的門極時(shí)間為>100 ms是很重要的。更短的門時(shí)間可能導(dǎo)致測(cè)量不準(zhǔn)確。

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