晶振中心

晶振官方博客

更多>>

康華爾電子祝賀新中國7...

原來NDK晶振代碼NX3225...

首頁歐美晶振 SITIME晶振SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振

編號：72949068
頻率：512.288kHz
尺寸：1.5x0.8mm

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1576，編碼為：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，頻率為：512.288kHz，小體積晶振尺寸：1...

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1576，編碼為：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，頻率為：512.288 kHz，小體積晶振尺寸：1.5x0.8mm，CSP，SMD晶振，TCXO溫補晶振，四腳貼片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。特點：1Hz到2.5MHz ±5ppm全包頻率穩定性，工廠可編程輸出頻率，世界上最小的TCXO占地面積：1.2mm2，尺寸1.5 x 0.8mm CSP，不需要外部旁路帽，改進穩定性降低系統功率與更少的網絡計時更新，超低功率：6µA（100kHz），石英晶體振蕩器電源電壓范圍： 1.62V到3.63V，工作溫度范圍：-20°C到+70°C，-40°C到+85°C，無鉛，RoHS和達到兼容。應用程序：健康和健康監視器，智能筆，ULP輸入設備，專有無線，傳感器接口。

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，參數表

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Condition
Frequency and Stability
Output Frequency	FOUT	1		2.5 M	Hz
Total Frequency Stability[1]	F_stab	-5		5	ppm	All inclusive, Stability code: E
Total Frequency Stability[1]	F_stab	-20		20	ppm	All inclusive, Stability code: 1
Allan Deviation	AD		1e-8	4e-8		1 second averaging time
First Year Frequency Aging	F_aging		±1		ppm	TA = 25°C, VDD = 1.8V
Jitter Performance
Integrated Phase Jitter	IPJ		2	3.5	nsRMS	F OUT > 1 kHz, Integration bandwidth = 100 Hz to F OUT /2. Inclusive of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on VDD. Noise frequency 100 Hz to 20 MHz
Period Jitter	PJ		2.2	4.5	nsRMS	Cycles = 10,000, f = 100 kHz. Per JEDEC standard 65B, tested at 100 kHz. See performance plot for other frequencies.
Peak-to-Peak Period Jitter	PJp-p		20	35	nsp-p
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	VDD	1.62		3.63	V
No Load Supply Current	IDD		3.65	5	µA	F OUT = 1 Hz
			4.5	5.5		F OUT = 33 kHz
			6	7		F OUT = 100 kHz
			13	16		F OUT = 1 MHz
			33	40		FOUT = 2 MHz
Start-up Time at Power-up	t_start		150	300	ms	FOUT > 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
			300 + 2.0 cycles	300 + 2.5 cycles		10 Hz < FOUT ≤ 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
				500 + 2.5 Cycles		1 Hz ≤ FOUT ≤ 10 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit.
Operating TemperatureRange
Operating TemperatureRange	Op_Temp	-20		70	°C	“C” ordering code
Operating TemperatureRange	Op_Temp	-40		85	°C	“I” ordering code
LVCMOS Output
Output Rise/Fall Time	tR, tF		9	20	ns	20-80%, 15 pF load, VDD = 1.8V +/- 10%
Output Clock Duty Cycle	DC	45		55	%
Output Voltage High	VOH	90%			VDD	I OH = -50 µA, 15 pF load
Output Voltage Low	VOL			10%	VDD	I OL = 50 µA, 15 pF load

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，尺寸圖

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振
SiT1576是一款超小、超低功率的工廠可編程TCXO，輸出頻率范圍在1 Hz到2.5 MHz之間。SiTime的硅MEMS技術使世界上最小的足跡和芯片規模封裝（CSP）的第一個1Hz-2.5MHz TCXO。典型的供電電流只有6µA（100 kHz)。
SiTime晶振的MEMS振蕩器由一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路組成。SiT1576 MEMS諧振器是建立與SiTime的獨特的MEMS第一®工藝。一個關鍵的制造步驟是EpiSeal®，在此期間MEMS諧振器在溫度超過1000°C。EpiSeal創建了一個非常強大的，清潔的，真空室，封裝了MEMS諧振腔，并確保了最好的性能和可靠性。在EpiSeal期間，一個聚硅蓋生長在諧振腔的頂部，這消除了額外的蓋晶片或其他外來包裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器模可以像任何其他半導體模一樣使用。SiTime的MEMS First和EpiSeal制造過程的一個獨特結果是，能夠將SiTime的MEMS模具與SOC、ASIC、微處理器或模擬模具集成在一個封裝中，以消除外部定時組件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。

SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振
TCXO溫補振蕩器頻率穩定性：SiT1576在多個溫度點上進行了工廠校準（修剪），以保證在溫度上具有極緊密的穩定性。石英晶體具有經典的音叉拋物線溫度曲線，25°C周轉點，0.04~0.06ppm/°C2溫度系數，SiT1576溫度系數通過主動溫度校正電路進行溫度校正。結果是，在-40°C到+85°C溫度范圍內，具有極緊密的頻率變化。
當使用頻率計數器測量SiT1576的輸出頻率時，必須確保計數器的門極時間為>100 ms。更短的柵極時間可能導致不準確的測量類似地，在1 Hz將需要增加頻率到500 Hz的頻率范圍。

深圳市康華爾電子有限公司
SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO.,LTD
電話：0755-27838351
手機：13823300879
Q Q：632862232
E-mail：konuaer@163.com
網址：http://m.ike-digital.com
地址：廣東深圳市寶安寶安大道東95號浙商銀行大廈1905